Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1253886652 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Micromechanical indentation study of stress related effects in transistor channels / Simon Schlipf |
| Person(en) | Schlipf, Simon (Verfasser) |
| Organisation(en) |
Fraunhofer IRB-Verlag (Verlag) Fraunhofer IKTS, Dresden (Herausgebendes Organ) |
| Verlag | Stuttgart : Fraunhofer Verlag |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: [2022] |
| Umfang/Format | 134 Seiten : Illustrationen, Diagramme ; 21 cm |
| Abweichende Titel | Abweichender Titel: Micromechanical indentation study of stress related effects ... |
| Hochschulschrift | Dissertation, Technische Universität Dresden, 2021 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8396-1797-7 Broschur : EUR 55.00 (DE), EUR 56.60 (AT), CHF 84.80 (freier Preis) 3-8396-1797-9 |
| Bestellnummer(n) | Bestellnummer: fhg-ikts_83 |
| EAN | 9783839617977 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Schriftenreihe Kompetenzen in Keramik und Materialdiagnostik ; vol. 1 |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltstext Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2022 AA 35314
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2022 AA 35435
Bereitstellung in Leipzig |
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