Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/982849559 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers / vorgelegt von Rakesh Sohal |
| Person(en) | Sohal, Rakesh (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2006 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 3,9 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Sohal, Rakesh: CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interfacereactivity with praseodymium oxide dielectric layers |
| Hochschulschrift | Cottbus, Univ., Diss., 2006 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus-121 |
| URL |
http://se6.kobv.de:8000/btu/volltexte/2006/12/pdf/Rakesh_PhDThesis.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://se6.kobv.de:8000/btu/volltexte/2006/12/ (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Siliciumcarbid ; Kristallfläche ; Dielektrische Schicht ; CVD-Verfahren |
| DDC-Notation | 530.4175 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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