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Titel X-ray Topography Studies of Relaxation during the Homo-Epitaxy of 4H-SiC / by H. Wang, M. Dudley, J. Zhang, B. Thomas, G. Chung, E. K. Sanchez, D. Hansen, S. G. Mueller
Person(en) Wang, H. (Verfasser)
Dudley, M. (Verfasser)
Zhang, J. (Verfasser)
Thomas, B. (Verfasser)
Chung, G. (Verfasser)
Sanchez, E. K. (Verfasser)
Hansen, D. (Verfasser)
Mueller, S. G. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2021020718370225996020
DOI: 10.1557/opl.2015.73
URL https://doi.org/10.1557/opl.2015.73
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2015
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 1741, 1.5.2015, Nr. 1, date:12.2015: 15-26)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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