Highly 28Si enriched silicon by localised focused ion beam implantation

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Link zu diesem Datensatz	https://d-nb.info/133495223X
Titel	Highly 28Si enriched silicon by localised focused ion beam implantation / by Ravi Acharya, Maddison Coke, Mason Adshead, Kexue Li, Barat Achinuq, Rongsheng Cai, A. Baset Gholizadeh, Janet Jacobs, Jessica L. Boland, Sarah J. Haigh, Katie L. Moore, David N. Jamieson, Richard J. Curry
Person(en)	Acharya, Ravi (Verfasser) Coke, Maddison (Verfasser) Adshead, Mason (Verfasser) Li, Kexue (Verfasser) Achinuq, Barat (Verfasser) Cai, Rongsheng (Verfasser) Gholizadeh, A. Baset (Verfasser) Jacobs, Janet (Verfasser) Boland, Jessica L. (Verfasser) Haigh, Sarah J. (Verfasser) Moore, Katie L. (Verfasser) Jamieson, David N. (Verfasser) Curry, Richard J. (Verfasser)
Organisation(en)	SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format	1 Online-Ressource.
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:101:1-2407082106101.306671103017 DOI: 10.1038/s43246-024-00498-0
URL	https://doi.org/10.1038/s43246-024-00498-0
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation	537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n)	Englisch (eng)
Beziehungen	Enthalten in: Communications materials (Bd. 5, 7.5.2024, Nr. 1, date:12.2024: 1-7)
Sachgruppe(n)	530 Physik

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