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Bücher
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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices: 4H/6H-SiC / Martin Lades
Person(en) Lades, Martin (Verfasser)
Verlag Aachen : Shaker
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2002
Umfang/Format IV, 161 S. : graph. Darst. ; 21 cm
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Lades, Martin: Modeling and Simulation of Wide Bandgap Semiconductor Devices: 4H/6H-SiC
Hochschulschrift Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000
ISBN/Einband/Preis 978-3-8265-9799-2 kart. : EUR 47.00, sfr 94.00
3-8265-9799-0 kart. : EUR 47.00, sfr 94.00
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Selected topics of electronics and micromechatronics ; Vol. 3
Schlagwörter Wide-bandgap Halbleiter ; Siliciumcarbid ; Störstelle ; Elektronischer Transport ; pn-Übergang ; Sperrschicht-FET
Sachgruppe(n) 29 Physik, Astronomie ; 37 Elektrotechnik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2002 A 14352
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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Leipzig Signatur: 2002 A 14352
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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