Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/977229467 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC / vorgelegt von Sergey Reshanov |
Person(en) | Reshanov, Sergey (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 3,2 MB |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Reshanov, Sergey: Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC |
Hochschulschrift | Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005 |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-2654 |
URL |
http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/pdf/SergeyReshanovDissertation.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/index.html (Verlag) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio |
DDC-Notation | 530.411 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
