Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*
Treffer 1658 von 1811
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/977229467 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC / vorgelegt von Sergey Reshanov |
| Person(en) | Reshanov, Sergey (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 3,2 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Reshanov, Sergey: Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC |
| Hochschulschrift | Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-2654 |
| URL |
http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/pdf/SergeyReshanovDissertation.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/index.html (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio |
| DDC-Notation | 530.411 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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