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Titel 3C-SiC p-n structures grown by sublimation on 6H-SiC substrates / by A. A. Lebedev, A. M. Strel’chuk, D. V. Davydov, N. S. Savkina, A. S. Tregubova, A. N. Kuznetsov, V. A. Solov’ev, N. K. Poletaev
Person(en) Lebedev, A. A. (Verfasser)
Strel’chuk, A. M. (Verfasser)
Davydov, D. V. (Verfasser)
Savkina, N. S. (Verfasser)
Tregubova, A. S. (Verfasser)
Kuznetsov, A. N. (Verfasser)
Solov’ev, V. A. (Verfasser)
Poletaev, N. K. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2502131221176.021832408245
DOI: 10.1134/1.1568473
URL https://doi.org/10.1134/1.1568473
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2003
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Semiconductors (Bd. 37, Nr. 4, date:4.2003: 482-484)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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