Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1389484130 |
| Titel | Charge carrier dynamics under the influence of extreme strain gradients realized in bent semiconductor nanowires / Marin Largo Francisca ; Gutachter: Dähne Mario, Geelhaar Lutz, Dimakis Emmanouil ; Betreuer: Geelhaar Lutz |
| Person(en) |
Francisca, Marin Largo (Verfasser) Lutz, Geelhaar (Akademischer Betreuer) Mario, Dähne (Gutachter) Lutz, Geelhaar (Gutachter) Emmanouil, Dimakis (Gutachter) |
| Verlag | Berlin : Technische Universität Berlin |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2026 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Hochschulschrift | Dissertation, Berlin, Technische Universität Berlin, 2025 |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2602110107418.326493966254 DOI: 10.14279/depositonce-25079 Handle: 11303/26251 |
| URL | (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Galliumarsenid* ; Nanodraht* ; Halbleiter* ; Molekularstrahlepitaxie* ; Heterostruktur* ; Drei-Fünf-Halbleiter* (*maschinell ermittelt) |
| DDC-Notation | 537.622 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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