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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze / Jan Fuhrmann ; Gutachter: Hans-Günter Eckel, Nando Kaminski, Daniel Domes
Person(en) Fuhrmann, Jan (Verfasser)
Eckel, Hans-Günter (Gutachter)
Kaminski, Nando (Gutachter)
Domes, Daniel (Gutachter)
Verlag Rostock : Universität Rostock
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2016
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Fuhrmann, Jan: IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze
Hochschulschrift Dissertation, Rostock, Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, 2016
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5
DOI: 10.18453/rosdok_id00001776
URL (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter IGBT* ; Leistungshalbleiter* ; Simulation* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 621.317 [DDC22ger]; 621.381528 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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