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Neuigkeiten Dienstag 18. November 2025: Die Lesesäle der Deutschen Nationalbibliothek in Frankfurt am Main öffnen wegen einer Personalversammlung erst ab 13 Uhr. // Tuesday 18 November 2025: The reading rooms of the German National Library in Frankfurt am Main will open at 13:00 due to a staff assembly.
 
 

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Investigation of light-induced defects in hydrogenated amorphous silicon by low temperature annealing and pulsed degradation / vorgelegt von Stephan Heck
Person(en) Heck, Stephan (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: [2003]
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 1,0 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Heck, Stephan: Investigation of light induced defects in hydrogenated amorphous silicon by low temperature annealing and pulsed degradation
Hochschulschrift Marburg, Univ., Diss., 2002
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04083
URL http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0408/pdf/dsh.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0408/ (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Silicium ; Amorpher Halbleiter ; Wasserstoff ; Lichtinduzierter Defekt
DDC-Notation 530.416 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

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