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Titel Quasi‐2D AgRuO 3 Oxide with Facilely Activated Basal Planes for Efficient H 2 Evolution
Person(en) Kang, Yu (Verfasser)
Han, Yujia (Verfasser)
Pohl, Darius (Verfasser)
Löffler, Markus (Verfasser)
Tahn, Alexander (Verfasser)
Rellinghaus, Bernd (Verfasser)
Schnelle, Walter (Verfasser)
Ma, Keyuan (Verfasser)
Cui, Yi (Verfasser)
Felser-Wenz, Claudia (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023112814174967483531
DOI: 10.1002/adfm.202310674
URL https://doi.org/10.1002/adfm.202310674
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 27.11.2023
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced functional materials (27.11.2023. 7 S.)

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