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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/961499168 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) / Sigo Scharnholz |
| Person(en) | Scharnholz, Sigo (Verfasser) |
| Verlag | Aachen : Shaker |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2001 |
| Umfang/Format | 124 S. : graph. Darst. ; 21 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Scharnholz, Sigo: Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) |
| Hochschulschrift | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2000 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8265-8876-1 kart. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00 3-8265-8876-2 kart. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00 |
| Beziehungen | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| Schlagwörter | Wide-bandgap Halbleiter ; Siliciumcarbid ; MOS-FET ; Ionenimplantation ; Gate-Oxid ; PECVD-Verfahren |
| Sachgruppe(n) | 37 Elektrotechnik ; 29 Physik, Astronomie |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2001 A 32395 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2001 A 32395 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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