Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/985700823 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Metal-semiconductor transition materials : FeS and VO2 thin films by RF reactive sputtering / von Ganhua Fu |
| Person(en) | Fu, Ganhua (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2007 |
| Umfang/Format | 101 S. : Ill., graph. Darst. ; 30 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Fu, Ganhua: Metal-semiconductor transition materials |
| Hochschulschrift | Gießen, Univ., Diss., 2007 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| DDC-Notation | 530.4175 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Frankfurt |
Signatur: 2007 B 26521 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2007 B 29230 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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