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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden und deren Anwendung in p-Kanal-FETs und elektromechanischen Strukturen / von Tom Zimmermann
Person(en) Zimmermann, Tom (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2008
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 6,3 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Zimmermann, Tom: Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden und deren Anwendung in p-Kanal-FETs und elektromechanischen Strukturen
Hochschulschrift Ulm, Univ., Diss., 2008
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:289-vts-65343
URL http://vts.uni-ulm.de/docs/2008/6534/vts_6534_8897.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter MEMS ; p-Kanal-FET ; Sensor ; Nanoelektromechanik ; Feldeffekttransistor
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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