Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/998520861 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden und deren Anwendung in p-Kanal-FETs und elektromechanischen Strukturen / von Tom Zimmermann |
Person(en) | Zimmermann, Tom (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2008 |
Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 6,3 MB |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Zimmermann, Tom: Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden und deren Anwendung in p-Kanal-FETs und elektromechanischen Strukturen |
Hochschulschrift | Ulm, Univ., Diss., 2008 |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bsz:289-vts-65343 |
URL | http://vts.uni-ulm.de/docs/2008/6534/vts_6534_8897.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
Sprache(n) | Deutsch (ger) |
Schlagwörter | MEMS ; p-Kanal-FET ; Sensor ; Nanoelektromechanik ; Feldeffekttransistor |
DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
