Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Seaford"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1199127159 |
| Titel | Comparison of GaAs grown on standard Si (511) and compliant SOI (511) / by M. L. Seaford, D. H. Tomich, K. G. Eyink, L. Grazulis, K. Mahalingham, Z. Yang, W. I. Wang |
| Person(en) |
Seaford, M. L. (Verfasser) Tomich, D. H. (Verfasser) Eyink, K. G. (Verfasser) Grazulis, L. (Verfasser) Mahalingham, K. (Verfasser) Yang, Z. (Verfasser) Wang, W. I. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2019110810580574575271 DOI: 10.1007/s11664-000-0179-0 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-000-0179-0 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2000 |
| DDC-Notation | 537.622 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 29, Nr. 7, date:7.2000: 906-908) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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