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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Heteroepitaxial Growth of GaN Nanostructures via Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire and Silicon using Graphene as Buffer Layer / Martin Heilmann ; Gutachter: Gerd Leuchs
Person(en) Heilmann, Martin (Verfasser)
Leuchs, Gerd (Gutachter)
Verlag Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2017
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2016
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus4-82223
URL https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/8222 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter MOVPE ; Galliumnitrid ; Nanodraht ; Graphen ; Heteroepitaxie
Sachgruppe(n) 530 Physik

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