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Titel Simulations of electron channeling in bent silicon crystal / Gennady B. Sushko, Victor G. Bezchastnov, Andrei V. Korol, Walter Greiner, Andrey V. Solov’yov, Roman G. Polozkov, Vadim K. Ivanov ; International Conference on Dynamics of Systems on the Nanoscale (2 : 2012 : Sankt Petersburg)
Person(en) Sushko, Gennady B. (Verfasser)
Bezchastnov, Victor G. (Verfasser)
Korol, Andrei V. (Verfasser)
Greiner, Walter (Verfasser)
Solov'yov, Andrey V. (Verfasser)
Polozkov, Roman G. (Verfasser)
Ivanov, Vadim K. (Verfasser)
Organisation(en) International Conference on Dynamics of Systems on the Nanoscale (2 : 2012 : Sankt Petersburg) (Sonstige)
Verlag Frankfurt am Main : Universitätsbibliothek Johann Christian Senckenberg
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2013
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hebis:30:3-902566
DOI: 10.1088/1742-6596/438/1/012019
URL http://publikationen.ub.uni-frankfurt.de/frontdoor/index/index/docId/90256 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen In: Journal of physics. Conference Series, 438.2013, 012019, 10 S.
DDC-Notation 539.722 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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