Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1190523701 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) / Sigo Scharnholz |
Person(en) | Scharnholz, Sigo (Verfasser) |
Verlag | Aachen : Shaker |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2001 |
Umfang/Format | Online-Ressource, 132 Seiten : 48 Abb. (pdf) |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Scharnholz, Sigo: Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:101:1-2019071406294387316782 |
ISBN/Einband/Preis | 978-3-8265-8876-1 |
Sprache(n) | Deutsch (ger) |
Beziehungen | Berichte aus der Halbleitertechnik |
Schlagwörter | Wide-bandgap Halbleiter ; Siliciumcarbid ; MOS-FET ; Ionenimplantation ; Gate-Oxid ; PECVD-Verfahren |
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