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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) / Sigo Scharnholz
Person(en) Scharnholz, Sigo (Verfasser)
Verlag Aachen : Shaker
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2001
Umfang/Format Online-Ressource, 132 Seiten : 48 Abb. (pdf)
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Scharnholz, Sigo: Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2019071406294387316782
ISBN/Einband/Preis 978-3-8265-8876-1
Sprache(n) Deutsch (ger)
Beziehungen Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter Wide-bandgap Halbleiter ; Siliciumcarbid ; MOS-FET ; Ionenimplantation ; Gate-Oxid ; PECVD-Verfahren

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