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Ergebnis der Suche nach: dcs=621.3*



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/987575740
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Entwicklung von GaAs-basierten Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBTs) für Mikrowellen-Leistungszellen / vorgelegt von Andre Maaßdorf
Person(en) Maaßdorf, Andre (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2007
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 3,1 MB
Hochschulschrift Berlin, Techn. Univ., Diss., 2007
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:kobv:83-opus-17415
URL http://opus.kobv.de/tuberlin/volltexte/2008/1741/pdf/maassdorf_andre.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://opus.kobv.de/tuberlin/volltexte/2008/1741/ (Verlag)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Heterobipolartransistor ; Galliumarsenid-Bauelement ; MOCVD-Verfahren ; Elektrischer Durchbruch ; Kollektor <Elektronik> ; Basisstation <Mobilfunk>
DDC-Notation 621.381528 [DDC22ger]; 621.381325 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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