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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC / vorgelegt von Sergey Reshanov
Person(en) Reshanov, Sergey (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format IV, 118 S. : graph. Darst. ; 21 cm
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Reshanov, Sergey: Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Hochschulschrift Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio
DDC-Notation 530.411 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

Frankfurt Signatur: 2006 A 57624
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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Leipzig Signatur: 2006 A 21450
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Leipzig




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