Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*
![]() |
|
Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/977868893 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC / vorgelegt von Sergey Reshanov |
Person(en) | Reshanov, Sergey (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
Umfang/Format | IV, 118 S. : graph. Darst. ; 21 cm |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Reshanov, Sergey: Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC |
Hochschulschrift | Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio |
DDC-Notation | 530.411 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Frankfurt |
Signatur: 2006 A 57624 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2006 A 21450 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
