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Bücher
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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices / Michael Schmalzbauer
Person(en) Schmalzbauer, Michael (Verfasser)
Ausgabe 1. Aufl.
Verlag Regensburg : Univ.-Verl. Regensburg
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2015
Umfang/Format VI, 156 S. : Ill., graph. Darst. ; 24 cm, 408 g
Hochschulschrift Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 2015
ISBN/Einband/Preis 978-3-86845-123-8 kart. : EUR 29.95 (DE), EUR 30.80 (AT), sfr 38.90 (freier Pr.)
3-86845-123-4
EAN 9783868451238
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Universität Regensburg. Naturwissenschaftliche Fakultät 2: Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg ; Bd. 45
Schlagwörter Silicium ; Germanium ; Heterostruktur ; Feldeffekt
DDC-Notation 530.416 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2015 A 54427
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2015 A 58934
Bereitstellung in Leipzig




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