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Ergebnis der Suche nach: "Jacobs" and "Karl"

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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1291679006
Titel Effect of GaN/AlGaN Buffer Thickness on the Electrothermal Performance of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Engineered Substrates
Person(en) Tadjer, Marko J. (Verfasser)
Waltereit, Patrick (Verfasser)
Kirste, Lutz (Verfasser)
Müller, Stefan (Verfasser)
Lundh, James Spencer (Verfasser)
Jacobs, Alan G. (Verfasser)
Koehler, Andrew D. (Verfasser)
Komarov, Pavel (Verfasser)
Raad, Peter (Verfasser)
Gaskins, John (Verfasser)
Hopkins, Patrick (Verfasser)
Odnoblyudov, Vlad (Verfasser)
Basceri, Cem (Verfasser)
Anderson, Travis J. (Verfasser)
Hobart, Karl D. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023060215105098113787
DOI: 10.1002/pssa.202200828
URL https://doi.org/10.1002/pssa.202200828
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 01.06.2023
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (01.06.2023. 7 S.)

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