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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1231156171
Titel Epitaxal growth of InGaN quantum dots grown by MOVPE: Effect of capping process on the structural and optical properties / by Tomohiro Yamaguchi, Kathrin Sebald, Jürgen Gutowski, Stephan Figge, Detlef Hommel
Person(en) Yamaguchi, Tomohiro (Verfasser)
Sebald, Kathrin (Verfasser)
Gutowski, Jürgen (Verfasser)
Figge, Stephan (Verfasser)
Hommel, Detlef (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2021041007513566736917
DOI: 10.1557/PROC-0892-FF11-01
URL https://doi.org/10.1557/PROC-0892-FF11-01
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2006
DDC-Notation 537.622 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 892, 12.2.2021, Nr. 1, date:12.2005: 178-183)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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