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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Molecular beam deposition (MBD) and characterisation of high-k material as alternative gate oxides for MOS-technology / von Vanessa Capodieci
Person(en) Capodieci, Vanessa (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: [2006]
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 5,3 MB
Hochschulschrift München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:706-1682
URL http://ub.unibw-muenchen.de/dissertationen/ediss/capodieci-vanessa/inhalt.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://137.193.200.177/ediss/capodieci-vanessa/meta.html (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter High-k-Dielektrikum ; Gate-Oxid ; Aluminiumoxide ; Praseodymoxide ; Lanthanoxid ; Molekularstrahlepitaxie
DDC-Notation 621.38152 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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