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Titel Preparation and optimization of freestanding GaN using low-temperature GaN layer / by Yuan Tian, Yongliang Shao, Xiaopeng Hao, Yongzhong Wu, Lei Zhang, Yuanbin Dai, Qin Huo, Baoguo Zhang, Haixiao Hu
Person(en) Tian, Yuan (Verfasser)
Shao, Yongliang (Verfasser)
Hao, Xiaopeng (Verfasser)
Wu, Yongzhong (Verfasser)
Zhang, Lei (Verfasser)
Dai, Yuanbin (Verfasser)
Huo, Qin (Verfasser)
Zhang, Baoguo (Verfasser)
Hu, Haixiao (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2020022407040902150614
DOI: 10.1007/s11706-019-0466-z
URL https://doi.org/10.1007/s11706-019-0466-z
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
DDC-Notation 537.6226 [DDC23ger]
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Frontiers of materials science (Bd. 13, 1.7.2019, Nr. 3, date:9.2019: 314-322)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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