Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1378378199 |
Titel | Development of electrically contacted GaAs-based nanowire laser diode structures on silicon / Tobias Schreitmüller |
Verlag | Garching : Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e. V |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
Umfang/Format | 217 Seiten |
ISBN/Einband/Preis | 978-3-946379-68-3 Broschur |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology ; Vol. 268 |
Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
Frankfurt | Publikation im Haus und in Bearbeitung |
Leipzig |
Signatur: 2025 AA 61911
Bereitstellung in Leipzig |
