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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Quasi-van der Waals-Epitaxie von GaSe auf Si und GaAs : Struktur und elektronische Eigenschaften / von Reiner Rudolph
Person(en) Rudolph, Reiner (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1999
Umfang/Format ca. 3,3 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Rudolph, Reiner: Quasi-van der Waals-Epitaxie von GaSe auf Si und GaAs
Hochschulschrift Berlin, Freie Univ., Diss., 1999
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:kobv:188-1999000651
URL http://www.diss.fu-berlin.de/cgi-bin/zip.cgi/1999/65/Fub-diss199965.zip
http://www.diss.fu-berlin.de/1999/65/index.html
Anmerkungen Dateiformat: zip, Dateien im PDF-Format
Schlagwörter Galliumselenide ; Epitaxie ; Silicium ; Halbleitersubstrat ; Photoelektronenspektroskopie ; LEED
Galliumselenide ; Epitaxie ; Galliumarsenid ; Halbleitersubstrat ; Photoelektronenspektroskopie ; LEED
Sachgruppe(n) 29 Physik, Astronomie ; 37 Elektrotechnik

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