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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1260759695
Titel X‐Ray Diffraction Microstrain Analysis for Extraction of Threading Dislocation Density of GaN Films Grown on Silicon, Sapphire, and SiC Substrates
Person(en) Yon, Victor (Verfasser)
Rochat, Névine (Verfasser)
Charles, Matthew (Verfasser)
Nolot, Emmanuel (Verfasser)
Gergaud, Patrice (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022062410530777328209
DOI: 10.1002/pssb.201900579
URL https://doi.org/10.1002/pssb.201900579
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 08.03.2020
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / B / Basic solid state physics (Bd. 257, 2020, Nr. 4. 9 S.)

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