Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "{{{Num}}}"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/137453157X |
| Titel | On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications / Matthias Sinnwell |
| Person(en) | Sinnwell, Matthias (Verfasser) |
| Organisation(en) |
Fraunhofer IRB-Verlag (Verlag) Fraunhofer IAF, Freiburg (Herausgebendes Organ) |
| Verlag | Stuttgart : Fraunhofer Verlag |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
| Umfang/Format | 185 Seiten : num., mostly col. illus. and tab. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Dissertation, Univ., Freiburg, 2025 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8396-2103-5 Broschur : EUR 56.00 (DE), EUR 57.60 (AT), CHF 86.30 (freier Preis) 3-8396-2103-8 |
| Bestellnummer(n) | Bestellnummer fhg-iaf_75 |
| EAN | 9783839621035 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Science for Systems |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltstext Inhaltstext Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt | Publikation im Haus und in Bearbeitung |
| Leipzig |
Signatur: 2025 AA 57718
Bereitstellung in Leipzig |

