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Bücher
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1233375601
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / Rimma Zhytnytska
Person(en) Zhytnytska, Rimma (Verfasser)
Organisation(en) Eric Cuvillier (Firma) (Verlag)
Ausgabe 1. Auflage
Verlag Göttingen : Cuvillier Verlag
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
Umfang/Format XII, 155 Seiten : Illustrationen, Diagramme ; 21 cm
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Zhytnytska, Rimma: Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen
Hochschulschrift Dissertation, Technische Universität Berlin, 2020
ISBN/Einband/Preis 978-3-7369-7413-5 Broschur : EUR 57.90 (DE), EUR 59.60 (AT)
3-7369-7413-2
EAN 9783736974135
Sprache(n) Deutsch (ger)
Beziehungen Innovationen mit Mikrowellen und Licht ; Band 65
Schlagwörter HEMT ; Galliumnitrid ; Epitaxie ; Leckstrom ; Durchschlagfestigkeit ; Elektrische Eigenschaft ; Thermodynamische Eigenschaft ; Schaltungsentwurf ; Leistungselektronik ; Schalttransistor
DDC-Notation 621.3815284 [DDC23ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2021 AA 34162
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2021 AA 32399
Bestand: [Die Bereitstellung kann bis zu 14 Tage dauern. - Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Leipzig




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