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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung / von Martin Neuburger
Person(en) Neuburger, Martin (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2006
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 3,0 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Neuburger, Martin: Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung
Hochschulschrift Ulm, Univ., Diss., 2006
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:289-vts-57224
URL http://vts.uni-ulm.de/docs/2006/5722/vts_5722_7591.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Galliumnitrid ; Feldeffekttransistor ; HEMT
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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