Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1196488622 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors on Native Substrates for Power Switching Applications : Fabrication, Characterization and Modelling / Muhammad Alshahed |
| Person(en) | Alshahed, Muhammad (Verfasser) |
| Organisation(en) | Shaker Verlag (Verlag) |
| Ausgabe | 1. Auflage |
| Verlag | Düren : Shaker |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2019 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, 243 Seiten : 61 Illustrationen (pdf) |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Alshahed, Muhammad: Gallium nitride high electron mobility transistors on native substrates for power switching applications |
| Hochschulschrift | Dissertation, Universität Stuttgart, 2019 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:101:1-2019100609282840938281 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8440-6885-6 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| Schlagwörter | HEMT ; Galliumnitrid ; Hochspannungsschalter ; Leckstrom ; Verlustwärme ; Thermodynamische Eigenschaft ; Wärmeleitfähigkeit |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC23ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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