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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Investigations of the electrical activity of defects in group IV and group III-N alloys integrated on Si substrates / Henriette Tetzner ; Gutachter: Inga Fischer
Person(en) Tetzner, Henriette (Verfasser)
Fischer, Inga (Gutachter)
Verlag Cottbus : BTU Cottbus - Senftenberg
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Hochschulschrift Dissertation, Cottbus, BTU Cottbus - Senftenberg, 2023
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-66819
DOI: 10.26127/BTUOpen-6681
URL https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/6681 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Siiicium ; Germanium ; MOS ; Gitterbaufehler ; Elektrischer Durchbruch
Gitterbaufehler* ; Silicium* ; Störstelle* ; Heterostruktur-Bauelement* ; Galliumnitrid* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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