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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1251688950
Titel Comparison of InGaSb/InAs superlattice structures grown by MBE on GaSb, GaAs, and compliant GaAs substrates / by D. H. Tomich, K. G. Eyink, L. Grazulis, G. L. Brown, F. Szmulowicz, K. Mahalingam, M. L. Seaford, C. H. Kuo, W. Y. Hwang, C. H. Lin
Person(en) Tomich, D. H. (Verfasser)
Eyink, K. G. (Verfasser)
Grazulis, L. (Verfasser)
Brown, G. L. (Verfasser)
Szmulowicz, F. (Verfasser)
Mahalingam, K. (Verfasser)
Seaford, M. L. (Verfasser)
Kuo, C. H. (Verfasser)
Hwang, W. Y. (Verfasser)
Lin, C. H. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022021223570024194107
DOI: 10.1007/s11664-000-0185-2
URL https://doi.org/10.1007/s11664-000-0185-2
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2000
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 29, Nr. 7, date:7.2000: 940-943)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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