Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1005833079 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Robust design of DRAM core circuits : yield estimation and analysis by a statistical design approach / Yan Li |
| Person(en) | Li, Yan (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2010 |
| Umfang/Format | Online-Ressource (PDF) |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Li, Yan: Robust design of DRAM core circuits |
| Hochschulschrift | München, Techn. Univ., Diss., 2010 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:91-diss-20100129-992644-1-3 |
| URL | http://mediatum2.ub.tum.de/node?id=992644 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Dynamisches RAM ; Leseverstärker ; CMOS ; Speicherzelle ; Chip ; Schaltungsentwurf ; Schaltungsanalyse ; Leckstrom |
| DDC-Notation | 621.3973 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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