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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1314006002
Titel Effet tunnel dans la diode émetteur/base d'un transistor bipolaire compatible CMOS dédié à la RF
Person(en) Latreche, S. (Verfasser)
Gontrand, C. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023121906312050617672
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199907)214:1<203::AID-PSSB203>3.0.CO;2-E
URL https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199907)214:1<203::AID-PSSB203>3.0.CO;2-E
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 02.07.1999
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / B / Basic solid state physics (Bd. 214, 1999, Nr. 1: 203-215. 13 S.)

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