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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1251679366
Titel High quality gate dielectrics formed by rapid thermal chemical vapor deposition of silane and nitrous oxide / by Veena Misra, Xiaoli Xu, Brian E. Hornung, Richard T. Kuehn, Donald S. Miles, John R. Hauser, Jimmie J. Wortman
Person(en) Misra, Veena (Verfasser)
Xu, Xiaoli (Verfasser)
Hornung, Brian E. (Verfasser)
Kuehn, Richard T. (Verfasser)
Miles, Donald S. (Verfasser)
Hauser, John R. (Verfasser)
Wortman, Jimmie J. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022021221250825163578
DOI: 10.1007/BF02666631
URL https://doi.org/10.1007/BF02666631
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1996
DDC-Notation 537.2 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 25, Nr. 3, date:3.1996: 527-535)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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