Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: Thomas and Müller
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1315441772 |
| Titel | Ferroelectric Field Effect Transistors–Based Content‐Addressable Storage‐Class Memory: A Study on the Impact of Device Variation and High‐Temperature Compatibility |
| Person(en) |
Sunil, Athira (Verfasser) Rana SK, Masud (Verfasser) Lederer, Maximilian (Verfasser) Raffel, Yannick (Verfasser) Müller, Franz (Verfasser) Olivo, Ricardo (Verfasser) Hoffmann, Raik (Verfasser) Seidel, Konrad (Verfasser) Kämpfe, Thomas (Verfasser) Chakrabarti, Bhaswar (Verfasser) De, Sourav (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2024010914190065719479 DOI: 10.1002/aisy.202300461 |
| URL | https://doi.org/10.1002/aisy.202300461 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 08.01.2024 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Advanced intelligent systems (08.01.2024. 10 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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