Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Untersuchungen zum epitaktischen Wachstum von 3C-SiC bei Verwendung einer C60-Kohlenstoffquelle / vorgelegt von Sascha Schreiber
Person(en) Schreiber, Sascha (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: [2007]
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 6,6 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Schreiber, Sascha: Untersuchungen zum epitaktischen Wachstum von 3C-SiC bei Verwendung einer C60-Kohlenstoffquelle
Hochschulschrift Augsburg, Univ., Diss., 2006
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:384-opus-5502
URL http://www.opus-bayern.de/uni-augsburg/volltexte/2007/550/pdf/Diss_Sascha_Schreiber.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://www.opus-bayern.de/uni-augsburg/volltexte/2007/550/index.html (Verlag)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Siliciumcarbid ; RHEED ; Heteroepitaxie ; Homoepitaxie ; Fullerene ; Wide-gap-Halbleiter ; Beschichten
DDC-Notation 530.4175 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

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