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Artikel
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Titel Quantum Interference Effects in Highly Doped n‐ZnSe Epitaxy Layers Grown by MBE
Person(en) Shao, H. (Verfasser)
Gerschütz, J. (Verfasser)
Scholl, S. (Verfasser)
Schäfer, H. (Verfasser)
Jobst, B. (Verfasser)
Hommel, D. (Verfasser)
Landwehr, G. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2024010503295306504815
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199804)206:2<575::AID-PSSB575>3.0.CO;2-7
URL https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199804)206:2<575::AID-PSSB575>3.0.CO;2-7
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 29.01.1999
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / B / Basic solid state physics (Bd. 206, 1999, Nr. 2: 575-582. 8 S.)

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