Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1385609885 |
| Titel | Plasma Etching of Multilayer SiO 2/Si 3 N 4 Alternating Stacks Using Capacitively Coupled Plasma‐Reactive Ion Etching |
| Person(en) |
Guo, Jingquan (Verfasser) Fan, Yingjie (Verfasser) Huang, Haiteng (Verfasser) Wang, Ya (Verfasser) Zhang, Yilin (Verfasser) Chen, Zhuzhuoyue (Verfasser) Zhang, Jingjing (Verfasser) Yu, Lihui (Verfasser) Ye, Shujun (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2601021306172.066143541326 DOI: 10.1002/pssa.202500820 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssa.202500820 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 01.01.2026 |
| DDC-Notation | 530.44 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (Bd. 223, 2026, Nr. 1. 12 S.) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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