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Titel Studying the Characteristics of Transistors Based on Gallium Nitride Heterostructures Grown by Ammonia Molecular Beam Epitaxy on Sapphire and Silicon Substrates / by A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, M. Ya. Chernykh, E. M. Kolobkova, I. O. Maiboroda, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin
Person(en) Andreev, A. A (Verfasser)
Grishchenko, Yu. V. (Verfasser)
Ezubchenko, I. S. (Verfasser)
Chernykh, M. Ya (Verfasser)
Kolobkova, E. M. (Verfasser)
Maiboroda, I. O (Verfasser)
Chernykh, I. A. (Verfasser)
Zanaveskin, M. L (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2019072500205013770027
DOI: 10.1134/S1063785019020238
URL https://doi.org/10.1134/S1063785019020238
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Technical physics letters (Bd. 45, 6.5.2019, Nr. 2, date:2.2019: 173-175)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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