Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1262076064 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften / Sven Besendörfer ; Gutachter: Tobias Erlbacher, Robert Weigel ; Betreuer: Tobias Erlbacher |
| Person(en) |
Besendörfer, Sven (Verfasser) Erlbacher, Tobias (Akademischer Betreuer) Erlbacher, Tobias (Gutachter) Weigel, Robert (Gutachter) |
| Organisation(en) | FAU University Press ein Imprint der Universität Erlangen-Nürnberg. Universitätsbibliothek (Verlag) |
| Verlag | Erlangen : FAU University Press |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2022 |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Besendörfer, Sven: Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften |
| Hochschulschrift | Dissertation, Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2022 |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus4-197395 DOI: 10.25593/978-3-96147-545-2 |
| URL | https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/19739 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Beziehungen | FAU Forschungen, Reihe B, Medizin, Naturwissenschaft, Technik ; 41 |
| Schlagwörter | Schottky-Diode ; HEMT ; Versetzung <Kristallographie> ; Leckstrom ; Galliumnitrid ; Rasterkraftmikroskopie ; Materialcharakterisierung ; Elektrischer Durchbruch |
| DDC-Notation | 621.381522 [DDC23ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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