Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/125173877X |
| Titel | Transmission Electron Microscopy-Based Analysis of Electrically Conductive Surface Defects in Large Area GaSb Homoepitaxial Diodes Grown Using Molecular Beam Epitaxy / by O.S. Romero, A.A. Aragon, N. Rahimi, D. Shima, S. Addamane, T.J. Rotter, S. D. Mukherjee, L.R. Dawson, L.F. Lester, G. Balakrishnan |
| Person(en) |
Romero, O.S (Verfasser) Aragon, A.A (Verfasser) Rahimi, N. (Verfasser) Shima, D. (Verfasser) Addamane, S. (Verfasser) Rotter, T.J (Verfasser) Mukherjee, S. D. (Verfasser) Dawson, L.R (Verfasser) Lester, L.F (Verfasser) Balakrishnan, G. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2022021322244984238773 DOI: 10.1007/s11664-014-3070-0 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-014-3070-0 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2014 |
| DDC-Notation | 530.41 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 43, 7.3.2014, Nr. 4, date:4.2014: 926-930) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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