Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/106919963X |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Analyse ioneninduzierter Ausfallmechanismen in hochintegrierten CMOS-Speicherzellen / Yvonne Gawlina-Schmidl. Gutachter: Gerhard Wachutka ; Dieter Silber. Betreuer: Gerhard Wachutka |
| Person(en) |
Gawlina-Schmidl, Yvonne (Verfasser) Wachutka, Gerhard (Akademischer Betreuer) Silber, Dieter (Akademischer Betreuer) |
| Verlag | München : Universitätsbibliothek der TU München |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2014 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Hochschulschrift | München, Technische Universität München, Diss., 2014 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:91-diss-20141105-1071912-1-9 |
| URL | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:91-diss-20141105-1071912-1-9 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Schlagwörter | Statisches RAM ; CMOS-Speicher ; Soft Error ; Latch-up-Effekt ; Ionenstrahl ; Computersimulation |
| DDC-Notation | 621.39732 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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