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Bücher
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1236431642
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Untersuchung der Wachstumskinetik von SiC mithilfe der in-situ Computertomographie des Gasphasenkristallisationsprozesses und der Modellierung der Wachstumsbedingungen / Matthias Arzig
Person(en) Arzig, Matthias (Verfasser)
Organisation(en) Shaker Verlag (Verlag)
Verlag Düren : Shaker Verlag
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
Umfang/Format 162 Seiten : Illustrationen ; 21 cm, 249 g
Hochschulschrift Dissertation, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, 2021
ISBN/Einband/Preis 978-3-8440-8135-0 Broschur : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), CHF 61.10 (freier Preis)
3-8440-8135-6
EAN 9783844081350
Sprache(n) Deutsch (ger)
Beziehungen Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter Siliciumcarbid ; Kristallzüchtung ; Gasphase ; Kristallwachstum ; Prozessanalyse ; Computertomografie ; In situ ; Prozessmodell
DDC-Notation 660.284298 [DDC23ger]; 621.38152 [DDC23ger]
Sachgruppe(n) 660 Technische Chemie ; 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2021 AA 45194
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2022 AA 3930
Bereitstellung in Leipzig




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