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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1230291628
Titel Vertical Transport Properties of GaN Schottky Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy / by M. Misra, A. V. Sampath, T. D. Moustakas
Person(en) Misra, M. (Verfasser)
Sampath, A. V. (Verfasser)
Moustakas, T. D. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2021032818474801024363
DOI: 10.1557/PROC-595-F99W11.2
URL https://doi.org/10.1557/PROC-595-F99W11.2
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1999
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 595, 3.9.2012, Nr. 1, date:12.1999: 1-6)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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