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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1296441903
Titel Parasitäre Oxide an vergrabenen Grenzflächen in modernen Silizium-Solarzellen / Stefan Lange ; Gutachter: Roland Scheer, Ralf B. Wehrspohn, Jan Schmidt
Person(en) Lange, Stefan (Verfasser)
Scheer, Roland (Gutachter)
Wehrspohn, Ralf B. (Gutachter)
Schmidt, Jan (Gutachter)
Verlag Halle (Saale) : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2023
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Halle (Saale), Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, 2023
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-1981185920-1109347
DOI: 10.25673/108979
URL (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Grenzfläche* ; Silicium* ; Dünne Schicht* ; Parasitäres Element <Mikroelektronik>* ; PECVD-Verfahren* ; Zinkoxid* ; Transparent-leitendes Oxid* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 621.31244 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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