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Ergebnis der Suche nach: "CLAUDEL" and "Michel"

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Artikel
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Titel Influence of total pressure and precursors flow rates on the growth of aluminium nitride by high temperature chemical vapor deposition (HTCVD)
Person(en) Claudel, Arnaud (Verfasser)
Blanquet, Elisabeth (Verfasser)
Chaussende, Didier (Verfasser)
Pique, Didier (Verfasser)
Pons, Michel (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023041106512968883196
DOI: 10.1002/pssc.200880935
URL https://doi.org/10.1002/pssc.200880935
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 13.02.2009
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / C / Current topics in solid state physics (Bd. 6, 2009, Nr. S2, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008), see additional papers in Phys. Status Solidi A 206, No. 6 (2009) and Phys. Status Solidi B 246, No. 6 (2009) 2: S348-S351. 4 S.)

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