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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1199127159
Titel Comparison of GaAs grown on standard Si (511) and compliant SOI (511) / by M. L. Seaford, D. H. Tomich, K. G. Eyink, L. Grazulis, K. Mahalingham, Z. Yang, W. I. Wang
Person(en) Seaford, M. L. (Verfasser)
Tomich, D. H. (Verfasser)
Eyink, K. G. (Verfasser)
Grazulis, L. (Verfasser)
Mahalingham, K. (Verfasser)
Yang, Z. (Verfasser)
Wang, W. I. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2019110810580574575271
DOI: 10.1007/s11664-000-0179-0
URL https://doi.org/10.1007/s11664-000-0179-0
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2000
DDC-Notation 537.622 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 29, Nr. 7, date:7.2000: 906-908)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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